买卖IC网 >> 中文资料第24397页 >> IDT70T659S10BF(HIGH-SPEED2.5V256/128K×36异步双端口静态RAM采用3.3V0R2.5V接口)

IDT70T659S10BF中文资料

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IDT70T659S10BF参数资料

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  • 功能描述：IC SRAM 4MBIT 10NS 208FBGA；RoHS：否；类别：集成电路 (IC) >> 存储器；系列：-；标准包装：3,000；系列：-；格式 - 存储器：EEPROMs - 串行；存储器类型：EEPROM；存储容量：8K (1K x 8)；速度：400kHz；接口：I²C，2 线串口；电源电压：1.7 V ~ 5.5 V；工作温度：-40°C ~ 85°C；封装/外壳：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；供应商设备封装：8-SOIC；包装：带卷 (TR)；

IDT70T659S10BF供应商

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