IFS150B12N3E4_B31

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IFS150B12N3E4_B31参数资料

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• IFS150B12N3E4_B31
• 功能描述：IGBT 模块 MIPAQ BASE 1200V 150A；RoHS：否；制造商：Infineon Technologies；产品：IGBT Silicon Modules；配置：Dual；集电极—发射极最大电压 VCEO：600 V；集电极—射极饱和电压：1.95 V；在25 C的连续集电极电流：230 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：445 W；最大工作温度：+ 125 C；封装 / 箱体：34MM；封装：；

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