买卖IC网 >> 中文资料第24592页 >> IGB15N60T(低损耗IGBT的海沟和场终止技术)

IGB15N60T中文资料

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IGB15N60T参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IGB15N60T
  • 功能描述：IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 15A；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

IGB15N60T供应商

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  • 封装
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
    0755-82519391
  • INFINEON
  • P-TO263-3-2
  • 14+
  • 9531
  • IGB15N60T
  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
  • 彭小姐、刘先生、李小姐
    0755-82552857-809
  • INF
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  • 1516+
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  • IGB15N60T
  • 深圳市中平科技有限公司
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    0755-83946385
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  • INFINEON
  • 14+
  • 25000
  • IGB15N60T
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • PG-TO263-3-2
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
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  • IGB15N60T
  • 科创特电子（香港）有限公司
  • 柯
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  • infineon
  • SOT-263
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  • IGB15N60T
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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  • 08+09
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  • 深圳市骏创达科技有限公司
  • 雷先生/李小姐
    0755-23610620
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