IGP03N120H2

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IGP03N120H2参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IGP03N120H2
• 功能描述：IGBT 晶体管 HIGH SPEED 2 TECH 1200V 3A；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

IGP03N120H2供应商

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• IGP03N120H2
• 深圳市晶美隆科技有限公司
• 李林
  0755-82519391
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• IGP03N120H2
• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
  0755-83946385
• INFINEON
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• IGP03N120H2
• 深圳市时兴宇电子有限公司
• 彭先生
  0755-83041559
• INFINEON
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• IGP03N120H2
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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  0755-83350789
• Infineon Technologies
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• IGP03N120H2
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• INFINEON
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• IGP03N120H2
• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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  13428937514
• INFINEON
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• IGP03N120H2
• 深圳市晶美隆科技有限公司
• 李小姐
  13717127837
• INFINEON
• P-TO220-3-1
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• 4530

• IGP03N120H2
• 深圳市奥捷尔电子科技有限公司
• 杨小姐
  0755-83972095
• INFINEON
• 10+
• 500

• IGP03N120H2
• 苏州新电元半导体有限公司
• 李丽
  0512-50325666
• Infineon
• 标准封装
• 14+
• 1640

• IGP03N120H2
• 深圳市灿顺兴科技有限公司
• 王先生 ★只 做 原 装★
  18682213510(优秀供应商)
• INFINEON
• 模块
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• 2060