买卖IC网 >> 中文资料第24605页 >> IKB15N60T(IGBT在海沟和场终止技术与软，恢复快反并联EMCON HE二极管)

IKB15N60T中文资料

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IKB15N60T参数资料

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  • 参数资料
  • IKB15N60T
  • 功能描述：IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 15A；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

IKB15N60T供应商

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  • 深圳市中平科技有限公司
  • 赖先生
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  • INFINEON
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • PG-TO-263
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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  • 科创特电子（香港）有限公司
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  • Infineon
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  • INF
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