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>> IKP06N60T(低损耗DuoPack:IGBT在海沟和场终止技术和软,恢复快反并联EMCON HE二极管)
IKP06N60T中文资料
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IKP06N60T
低损耗DuoPack:IGBT在海沟和场终止技术和软,恢复快反并联EMCON HE二极管
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低损耗DuoPack:IGBT在海沟和场终止技术和软,恢复快反并联EMCON HE二极管
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IKP06N60T参数资料
电子元器件
参数资料
IKP06N60T
功能描述:IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 600V 6A;RoHS:否;制造商:Fairchild Semiconductor;配置:;集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V;集电极—射极饱和电压:2.3 V;栅极/发射极最大电压:20 V;在25 C的连续集电极电流:150 A;栅极—射极漏泄电流:400 nA;功率耗散:187 W;最大工作温度:;封装 / 箱体:TO-247;封装:Tube;
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18724450645
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销售部经理:马先生
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GAD713
339
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深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
陈小姐
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INFINEON
200094
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深圳市远晨电子有限公司
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11+
20000
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INF
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最新批次
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