买卖IC网 >> 中文资料第24606页 >> IKW25N120T2(低损耗DuoPack：IGBT在第二代TRENCHSTOP具有柔软，快速恢复反并联二极管EMCON)

IKW25N120T2中文资料

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IKW25N120T2参数资料

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  • IKW25N120T2
  • 功能描述：IGBT 晶体管 LOW LOSS DuoPack 1200V 25A；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

IKW25N120T2供应商

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