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IPB05N03LAG中文资料

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IPB05N03LAG参数资料

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  • 参数资料
  • IPB05N03LAG
  • 功能描述：MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPB05N03LAG供应商

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  • 集好芯城
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    0755-23607487
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  • 中山市翔美达电子科技有限公司
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  • 深圳市华斯顿电子科技有限公司
  • 朱咸华
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  • INFINEON
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