买卖IC网 >> 中文资料第24747页 >> IPD10N03LA(OptiMOS2功率晶体管)

IPD10N03LA中文资料

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IPD10N03LA参数资料

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  • IPD10N03LA
  • 功能描述：MOSFET N-CH 25V 30A DPAK；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：OptiMOS™；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IPD10N03LA供应商

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  • infineon
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
    0755-82519391
  • INFINEON
  • TO252-3
  • 14+
  • 9531
  • IPD10N03LA G
  • 深圳市思诺康科技有限公司
  • 张小姐/Vivianvi
    0755-83286481
  • INFIN
  • PT REEL
  • 608
  • 796
  • IPD10N03LA G
  • 深圳市中平科技有限公司
  • 赖先生
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  • 15+
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  • IPD10N03LA G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • Infineon Technologies
  • PG-TO252-3
  • 15+
  • 25000
  • IPD10N03LA G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
    0755-83350789
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