买卖IC网 >> 中文资料第24747页 >> IPD180N10N3G(OptiMOSTM3功率晶体管)

IPD180N10N3G中文资料

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IPD180N10N3G参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IPD180N10N3G
  • 功能描述：MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPD180N10N3G供应商

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  • 封装
  • 批号
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  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
  • 彭小姐、刘先生、李小姐
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  • INF
  • Tape&Reel
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  • IPD180N10N3G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 王金英
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  • INFINEON
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  • IPD180N10N3G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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  • INFINEON
  • TO-252
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  • 3620
  • IPD180N10N3G
  • 深圳市明锐微科技有限公司
  • 李先生
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  • INFINEON
  • TO-252
  • 1424+PB
  • 2500
  • IPD180N10N3G
  • 深圳市铭万电子有限公司
  • 李洁/廖R
    18919554221
  • INFINEON
  • TO-252
  • 2013
  • 20000
  • IPD180N10N3G
  • 深圳市良普科电子有限公司
  • 张小姐
    18926026027
  • INFINEON
  • TO-252
  • 1335+
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  • IPD180N10N3G
  • 深圳市粤科源兴科技有限公司
  • 谢先生
    13392885468
  • INFINEON
  • TO-252
  • 1335+
  • 2500
  • IPD180N10N3G
  • 深圳市创达佳科技有限公司
  • 袁R
    19925423429
  • Infineon Technologies
  • 标准封装
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  • IPD180N10N3G
  • 芯科国际电子有限公司
  • 申小姐
    0755-83330991
  • Infineon Technologies
  • N/A
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