IPD65R600E6

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IPD65R600E6参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IPD65R600E6
• 功能描述：MOSFET N-CH 700V 7.3A ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPD65R600E6供应商

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• 9375

• IPD65R600E6
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• 25000

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• 恩士茂国际贸易有限公司
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• INFINEON
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• INFINEON
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• IPD65R600E6
• 深圳市明锐微科技有限公司
• 李先生
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