买卖IC网 >> 中文资料第24759页 >> IPP60R600C6(金属氧化物半导体场效应晶体管)

IPP60R600C6中文资料

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IPP60R600C6参数资料

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  • 参数资料
  • IPP60R600C6
  • 功能描述：MOSFET 600V CoolMOS C6 Power Transistor；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPP60R600C6供应商

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  • 深圳市英科美电子有限公司
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  • 原厂封装
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  • IPP60R600C6
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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    18724450645
  • INFINEON
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  • 25000
  • IPP60R600C6
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • Infineon Technologies
  • TO-220-3
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  • 张小姐/韩先生
    010-86398446-806
  • Infineon technologies
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  • IPP60R600C6
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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  • Infineon technologies
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  • IPP60R600C6
  • 深圳市远晨电子有限公司
  • 周小姐/詹小姐
    0755-83972258
  • Infineon technologies
  • 11+
  • 20000
  • IPP60R600C6

  • INFINEON
  • TO220-3
  • 最新批次
  • 112380
  • IPP60R600C6
  • 深圳市明锐微科技有限公司
  • 李先生
    0755-83255012
  • INFINEON
  • TO220
  • 10+
  • 35
  • IPP60R600C6
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
  • 祁志明
    16605347030
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