IPS05N03LBG

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IPS05N03LBG参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IPS05N03LBG
• 功能描述：MOSFET N-KANAL POWER MOS；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IPS05N03LBG供应商

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• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
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• INFINEON
• IPAK SL (TO-251 SL)
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• IPS05N03LBG
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• TO-252
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• IPS05N03LBG
• 深圳市铭万电子有限公司
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  18919554221
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• 深圳市英瑞尔电子科技有限公司
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• TO-252
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• 深圳市迈的特电子有限公司
• 陈小姐
  13537709675
• 原厂
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• IPS05N03LBG
• 深圳市柏新电子有限公司
• 林小姐/方先生
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• INFINEON
• IPAK SL (TO-251 SL)
• 2013
• 20000

• IPS05N03LBG
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐/方先生
  0755-88377780
• INFINEON
• IPAK SL (TO-251 SL)
• 09+
• 20000

• IPS05N03LBG
• 深圳市汇驰丰科技有限公司
• 朱小姐
  086-0755-83268550
• Infineon
• SOT-223
• 13/14+
• 71260

• IPS05N03LBG
• 深圳市科海特电子商行
• 陈海钦
  0755-82539698
• IPAK SL (TO-251 SL)
• INFINEON
• 09+
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