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IPS10N03LAG中文资料

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IPS10N03LAG参数资料

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  • 参数资料
  • IPS10N03LAG
  • 功能描述:MOSFET N-KANAL POWER MOS;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IPS10N03LAG供应商

  • 电子元器件
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  • 深圳市科海特电子商行
  • 陈海钦
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  • 深圳市迈的特电子有限公司
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    13537709675
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  • 深圳市汇驰丰科技有限公司
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  • Infineon
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  • 深圳市科海特电子商行
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  • 深圳市华裕辉电子有限公司
  • 蔡先生
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  • 台产替代
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  • 北京鼎帆伟业科技有限公司
  • 田先生
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  • INFINEON
  • INFINEON代理商
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  • 深圳市说好的电子科技有限公司
  • 张小姐/李先生
    18665376059
  • INF
  • 原厂原装
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  • 深圳市永贝尔科技有限公司
  • 黄小姐
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  • 原厂原包
  • 19960
  • IPS10N03LAG
  • mmic_stock
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    -
  • Infineon Technologies
  • TO-251
  • 12+
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  • 深圳市翔森科技有限公司
  • 文斌
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  • INF
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