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IRF1104PBF中文资料

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IRF1104PBF参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IRF1104PBF
  • 功能描述：MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.2mOhms 43nC；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF1104PBF供应商

  • 电子元器件
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  • 联系方式
  • 品牌
  • 封装
  • 批号
  • 数量
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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
  • 洪先生
    17862669251
  • International Rectifier
  • N/A
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  • IRF1104PBF
  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
  • 廖小姐
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  • TO-220AB
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  • IRF1104PBF
  • 深圳市思诺康科技有限公司
  • 张小姐/Vivianvi
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  • IR
  • ORG
  • 13/14+
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  • IRF1104PBF
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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  • International Rectifier
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  • 北京京北通宇电子元件有限公司
  • 张
    18724450645
  • INTERNATIONAL RECTIFIER
  • 14+
  • 25000
  • IRF1104PBF
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • Infineon Technologies Americas Corp.
  • TO-220AB
  • 15+
  • 164075
  • IRF1104PBF
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
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  • 14+
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  • IRF1104PBF
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • IRF1104PBF
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  • IR
  • TO-220
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