IRF1902PBF

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IRF1902PBF参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRF1902PBF
• 功能描述：MOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 85mOhms 5nC；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF1902PBF供应商

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• 陈先生13360533550
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• IRF1902PBF
• 深圳市科思奇电子科技有限公司
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• IRF1902PBF
• 深圳市迈的特电子有限公司
• 陈小姐
  13537709675
• 原厂
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• 深圳市迈特昇科技有限公司
• 张小姐
  0755-85219093
• ir
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