IRF2807ZS

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IRF2807ZS参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRF2807ZS
• 功能描述：MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRF2807ZS供应商

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  15502070655
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
• D2PAK
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• 25000

• IRF2807ZS
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• IR
• 1213+
• 8100

• IRF2807ZS
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
• IR
• 标准封装
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• 2500

• IRF2807ZS
• 深圳市亚泰盈科电子有限公司
• 郑小姐
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