IRF3709S

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IRF3709S参数资料

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• 参数资料

• IRF3709S
• 功能描述：MOSFET N-CH 30V 90A D2PAK；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRF3709S供应商

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• IRF3709S
• 深圳市晶美隆科技有限公司
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  0755-82519391
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• IRF3709S
• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
  0755-83946385
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• D2-Pak
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• 19875

• IRF3709S
• 深圳市德力诚信科技有限公司
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• International Rectifier
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• IRF3709S
• 深圳市时兴宇电子有限公司
• 彭先生
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• 中山市翔美达电子科技有限公司
• 朱小姐
  15502070655
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• TO-263/D2-PAK
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• 6000

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• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
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• TO263
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• IRF3709S
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
• D2PAK
• 15+
• 25000

• IRF3709S
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• IR
• 1213+
• 8100

• IRF3709S
• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
• 何芝
  19129491934(手机优先微信同号)
• IR
• 标准封装
• 13+
• 2500

• IRF3709S
• 深圳市亚泰盈科电子有限公司
• 郑小姐
  15338868823
• IR
• TO-263
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