买卖IC网 >> 中文资料第24795页 >> IRF610(N沟道功率MOSFET，3.5A，150-200V)

IRF610中文资料

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IRF610参数资料

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  • 参数资料
  • IRF610
  • 功能描述：MOSFET N-Chan 200V 3.3 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF610供应商

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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
    0755-82519391
  • SEC
  • TO-220
  • 14+
  • 9531
  • IRF610
  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
  • 林小姐/欧阳先生
    0755-83245050
  • SMG
  • TO-220
  • 2015+
  • 24000
  • IRF610
  • 深圳市中平科技有限公司
  • 赖先生
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  • IR
  • TO-220
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  • IRF610
  • 标准国际(香港)有限公司
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  • 深圳市英科美电子有限公司
  • 张先生
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  • HARRIS
  • TRANS
  • 13+
  • 2880
  • IRF610
  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
    0755-83041559
  • TO
  • 11+
  • 8800
  • IRF610
  • 深圳市柏新电子科技有限公司
  • 林小姐//方先生
    0755-88377780
  • IR
  • TO-220
  • 2012+
  • 1376
  • IRF610
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • Vishay Siliconix
  • TO-220AB
  • 15+
  • 25000
  • IRF610
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
    0755-83350789
  • 英特尔
  • TO-220
  • 0114+
  • 3000
  • IRF610
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
    19129491934(手机优先微信同号)
  • IR
  • TO-220
  • 201315+
  • 2350