IRF6611

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IRF6611参数资料

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• 参数资料

• IRF6611
• 功能描述：MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MX；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF6611供应商

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• 深圳市佳斯泰科技有限公司
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• 深圳市柏新电子科技有限公司
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• 深圳市毅创辉电子科技有限公司
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• IRF6611TR1
• 深圳市思诺康科技有限公司
• 张小姐/Vivianvi
  0755-83286481
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• DirectFET
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• IRF6611TR1
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
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