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IRF6626中文资料

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IRF6626参数资料

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  • IRF6626
  • 功能描述：MOSFET 30V N-CH 4.0 mOhm HEXFET 1.8V nC；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF6626供应商

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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
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  • IRF6626
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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  • 标封
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  • 深圳市柏新电子科技有限公司
  • 林小姐//方先生
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  • DirectFET
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  • IRF6626
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • Infineon Technologies Americas Corp.
  • DIRECTFET™ ST
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • IRF6626
  • 甄芯网
  • 柯先生/赵小姐
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  • 深圳市远晨电子有限公司
  • 周小姐/詹小姐
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  • IOR
  • DIRECTFET
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  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • ROHS
  • 201315+
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  • 深圳市佳斯泰科技有限公司
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