IRF6662TRPBF

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IRF6662TRPBF参数资料

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• 参数资料

• IRF6662TRPBF
• 功能描述：MOSFET 100V 1 N-CH HEXFET DIRECTFET MZ；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF6662TRPBF供应商

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• 深圳市佳斯泰科技有限公司
• 廖小姐
  13410012158
• IR
• DIREFET
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• IRF6662TRPBF
• 深圳市德力诚信科技有限公司
• 王小姐
  13969210552
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• 标封
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• IRF6662TRPBF
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
• DIRECTFET™ MZ
• 15+
• 128675

• IRF6662TRPBF
• 深圳市朱博士电子科技有限公司
• 林先生
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• Internation.Rectifer
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• IRF6662TRPBF
• 深圳市朱博士电子科技有限公司
• 林先生
  0755-83261372
• Internation.Rectifer
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• 深圳市骏创达科技有限公司
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• 深圳市明锐微科技有限公司
• 李先生
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