IRF7379QPBF

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IRF7379QPBF参数资料

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• IRF7379QPBF
• 功能描述：MOSFET；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF7379QPBF供应商

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• 深圳市英科美电子有限公司
• 张先生
  0755-23903058
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• IRF7379QPBF
• 中山市翔美达电子科技有限公司
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  15502070655
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• SOIC8
• 11+
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• IRF7379QPBF
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
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• IRF7379QPBF
• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
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• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
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• 深圳市华斯顿电子科技有限公司
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• 深圳市悦兴晨电子科技有限公司
• 朱先生
  ０７５５-８２８１２００４82811605
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• 原厂原封装
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• 15600

• IRF7379QPBF
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• IR
• SOIC8
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• IRF7379QPBF
• 深圳市明锐微科技有限公司
• 李先生
  0755-83255012
• IR
• SOIC8
• 2008
• 6014

• IRF7379QPBF
• 深圳市华诺星科技有限公司
• 胡泽君
  18998911795
• INTERNATIONAL RECTIFIER
• 原厂原包
• 2014+
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