买卖IC网 >> 中文资料第24803页 >> IRF740SPBF(HEXFET功率MOSFET（VDSS=400V，RDS（ON）=0.55，ID=10A）)

IRF740SPBF中文资料

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IRF740SPBF参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IRF740SPBF
  • 功能描述：MOSFET N-Chan 400V 10 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF740SPBF供应商

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  • 深圳市思诺康科技有限公司
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  • 13/14+
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  • IRF740SPBF
  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
  • 彭小姐、刘先生、李小姐
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  • 深圳市时兴宇电子有限公司
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  • IRF740SPBF
  • 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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  • TO-263
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  • IRF740SPBF
  • 深圳市柏新电子科技有限公司
  • 林小姐//方先生
    0755-88377780
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  • TO-263
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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