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IRF7853TRPBF中文资料

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IRF7853TRPBF参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IRF7853TRPBF
  • 功能描述:MOSFET MOSFT 100V 8.3A 18mOhm 28nC Qg;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRF7853TRPBF供应商

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  • 集好芯城
  • 张育豪 13360528695
    0755-23607487
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  • 深圳市英科美电子有限公司
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  • 江小姐 ADS触摸芯片一级代理
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  • IRF7853TRPBF
  • 深圳市中平科技有限公司
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  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
    0755-82519391
  • IR
  • 原封装
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  • IRF7853TRPBF
  • 北京京北通宇电子元件有限公司

  • 18724450645
  • INTERNATIONAL RECTIFIER
  • 14+
  • 25000
  • IRF7853TRPBF
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
  • 王小姐
    13969210552
  • International Rectifier
  • 标封
  • 14+
  • 5000
  • IRF7853TRPBF
  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
    0755-83041559
  • IR
  • SOP8
  • 0816+
  • 16000
  • IRF7853TRPBF
  • 深圳市柏新电子科技有限公司
  • 林小姐//方先生
    0755-88377780
  • IR
  • SOP-8
  • 2012+
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