IRF840
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>> IRF840(N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管)
IRF840中文资料
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IRF840
N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管
MOTOROLA
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IRF840
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PHILIPS
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STMICROELECTRONICS
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SAMSUNG
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FAIRCHILD
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INTERSIL
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TRANSYS Electronics Limited
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VISHAY
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SUNTAC
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ISC
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COMSET
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IRF8401111
N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管
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VISHAY
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IRF840AL
N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管
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IRF840AL
N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管
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IRF840AL
N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管
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N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管
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IRF840APBF
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N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管
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IRF840AS
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IRF840AS
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IRF840AS
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IRF840ASPBF
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IRF840ASPBF
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IRF840ASTRL
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IRF840AS_04
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IRF840B
N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管
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FAIRCHILD
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IRF840FI
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IRF840FP
N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管
SUNTAC
Suntac Electronic Corp.
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N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管
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IRF840参数资料
电子元器件
参数资料
IRF840
功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;
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