买卖IC网 >> 中文资料第24807页 >> IRF840(N沟道增强型硅栅TMOS功率场效应晶体管)

IRF840中文资料

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IRF840参数资料

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  • 参数资料
  • IRF840
  • 功能描述:MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRF840供应商

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  • 北京杰创宏达电子有限公司
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