IRF9953PBF

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IRF9953PBF参数资料

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• 参数资料

• IRF9953PBF
• 功能描述：MOSFET DUAL -30V P-CH 20V VGS MAX；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRF9953PBF供应商

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• 深圳市佳斯泰科技有限公司
• 廖小姐
  13410012158
• IR
• SOIC-8
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• IRF9953PBF
• 深圳市海天鸿电子科技有限公司
• 彭小姐、刘先生、李小姐
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• IRF9953PBF
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 张
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• INTERNATIONAL RECTIFIER
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• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 王
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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• International Rectifier
• 标封
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• 5000

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• 标准国际(香港)有限公司
• 朱小姐
  83617149
• IR
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• 374

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• 深圳市思诺康科技有限公司
• 张小姐/Vivianvi
  0755-83286481
• Internation.Rectifer
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• 13/14+
• 290

• IRF9953PBF
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
• 8-SO
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• 25000

• IRF9953PBF
• 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
• 陈小姐
  13428937514
• IR
• 13+
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• IRF9953PBF
• 深圳市朱博士电子科技有限公司
• 林先生
  0755-83267372
• Internation.Rectifer
• N/A
• 15+
• 100000