IRFB17N60K

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IRFB17N60K参数资料

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• 参数资料

• IRFB17N60K
• 功能描述：MOSFET N-Chan 600V 17 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFB17N60K供应商

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• IRFB17N60K
• 深圳市晶美隆科技有限公司
• 李林
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• IRFB17N60K
• 深圳市中平科技有限公司
• 赖先生
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• IRFB17N60K
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
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• 1034

• IRFB17N60K
• 深圳市瑞祺芯科技有限公司
• 李小姐/孟先生 （只 做 原 装 ）
  086-0755-28892389
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• TO-220
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• IRFB17N60KPBF
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• Vishay Siliconix
• TO-220AB
• 15+
• 25000

• IRFB17N60K
• 深圳山琅电子科技有限公司
• 刘小姐
  86-755-83268069
• VISHAY
• TO-220AB
• 14+
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• IRFB17N60K
• 深圳市华斯顿电子科技有限公司
• 朱咸华
  0755-83777708
• IR
• TO-220
• 2015+
• 30224