IRFBA22N50APBF

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IRFBA22N50APBF参数资料

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• IRFBA22N50APBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 500V 24 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFBA22N50APBF供应商

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• SUPER-220™（TO-273AA）
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• IR
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• 深圳市科恒伟业电子有限公司
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• TO-273
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• 深圳市柏新电子有限公司
• 林小姐/方先生
  0755-88377780
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• TO-220
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• 10

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• 北京华宇慧达科技有限公司
• 郭小姐/赵小姐
  15901568215
• Vishay Semiconductors
• 原厂封装！
• 13+/14+
• 8000

• IRFBA22N50APBF
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐/方先生
  0755-88377780
• IR
• TO-273
• 06+07+08+
• 468

• IRFBA22N50APBF
• 芯科国际电子有限公司
• 申小姐
  0755-83330991
• Vishay/Siliconix
• N/A
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