IRFBC30LPBF

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IRFBC30LPBF参数资料

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• IRFBC30LPBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 600V 3.6 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFBC30LPBF供应商

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• 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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• 销售部经理：马先生
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• 深圳市莱杰信科技有限公司
• 曹先生/张小姐
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• 金狮盾科技(香港)国际集团有限公司
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• 申小姐
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• 深圳市虹芯微科技有限公司
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• IRFBC30LPBF
• 深圳市亿翁科技有限公司
• 林先生/钟先生
  0755-83533895
• IR
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• IRFBC30LPBF
• 泰连在线科技有限公司
• 王小姐 18988763178
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• Vishay/Siliconix
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• IRFBC30LPBF
• 深圳市美日半导体有限公司
• 李小姐 13530383625
  0755-23004050
• IR
• TO-262
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• 24000

• IRFBC30LPBF
• 深圳市凯越丰电子科技有限公司
• 朱和西
  0755-82544260
• IR
• TO262
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