IRFBE30SPBF

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IRFBE30SPBF参数资料

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• 参数资料

• IRFBE30SPBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFBE30SPBF供应商

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• 深圳市科思奇电子科技有限公司
• 林小姐/欧阳先生
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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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• 深圳市高创鑫电子科技有限公司
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
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• VISHAY
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• 深圳市明锐微科技有限公司
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• IR
• D2-pak
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• IRFBE30SPBF
• 益辉科技香港有限公司
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• IR
• TO-263
• 11+
• 1

• IRFBE30SPBF
• 深圳市华斯顿电子科技有限公司
• 朱咸华
  0755-83777708
• NO MFR
• 原厂原包装
• 2015+
• 26993

• IRFBE30SPBF
• 深圳市明锐微科技有限公司
• 李先生
  0755-83255012
• IR
• D2-pak
• 12+
• 53000