IRFIB8N50KPBF

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IRFIB8N50KPBF参数资料

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• 参数资料

• IRFIB8N50KPBF
• 功能描述：MOSFET N-Chan 500V 6.7 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFIB8N50KPBF供应商

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• IRFIB8N50KPBF
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
  0755-88377780
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• TO-220
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• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
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• IRFIB8N50KPBF
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• 深圳市紫蓝诚电子科技有限公司
• 郭小姐*八年信誉品质保证
  0755-83952069
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• IRFIB8N50KPBF
• 深圳市恒腾龙科技有限公司
• 陈先生
  0755-61337701
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• TO-220
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• 深圳市亿翁科技有限公司
• 林先生/钟先生
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• 5100

• IRFIB8N50KPBF
• 深圳市华首信实业有限公司
• 阳小姐/曾先生/
  0755-82518632
• IR
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• 最新年份
• 10900

• IRFIB8N50KPBF
• 深圳市华裕辉电子有限公司
• 蔡先生
  0755-82723922
• 台产替代
• TO-220F
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