IRFR3412PBF

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IRFR3412PBF参数资料

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• IRFR3412PBF
• 功能描述：MOSFET N-CH 100V 48A DPAK；RoHS：是；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRFR3412PBF供应商

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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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  13969210552
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• 深圳市时兴宇电子有限公司
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• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
  0755-83350789
• Infineon Technologies Americas Corp.
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• IRFR3412PBF
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售经理：马先生
  0755-83350789
• IR
• TO-252原条
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• 350

• IRFR3412PBF
• 甄芯网
• 柯先生/赵小姐
  0755-83665813
• IR
• TO-252
• 2008
• 3

• IRFR3412PBF
• 深圳市华创盛世科技有限公司
• 许小姐
  0755-36857495
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• TO-252
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• 158000

• IRFR3412PBF
• 深圳市华斯顿电子科技有限公司
• 朱咸华
  0755-83777708
• IR
• TO-252
• 2015+
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• IRFR3412PBF
• 深圳市胜彬电子有限公司
• 刘小姐
  15112525775
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• IRFR3412PBF
• 深圳市胜彬电子有限公司
• 段群
  18902465585
• IR
• TO-252
• 1413+
• 7680