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IRFRC20TR中文资料

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IRFRC20TR参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IRFRC20TR
  • 功能描述:MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp;RoHS:否;制造商:STMicroelectronics;晶体管极性:N-Channel;汲极/源极击穿电压:650 V;闸/源击穿电压:25 V;漏极连续电流:130 A;电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms;配置:Single;最大工作温度:;安装风格:Through Hole;封装 / 箱体:Max247;封装:Tube;

IRFRC20TR供应商

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  • IRFRC20TR
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
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  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理:马先生
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  • Vishay Siliconix
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  • 甄芯网
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  • IRFRC20TR
  • 北京京华特科技有限公司
  • 张小姐/韩先生
    010-86398446-806
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  • TO-252
  • 03+
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  • IRFRC20TR
  • 深圳市鸿昌盛电子科技有限公司
  • 陈小姐
    13428937514
  • INTERNATIONAL RECTIFIER
  • 39
  • IRFRC20TR
  • 深圳市瑞祺芯科技有限公司
  • 李小姐/孟先生 (只 做 原 装 )
    086-0755-28892389
  • IR
  • SOT-163
  • 14+
  • 12000
  • IRFRC20TRL
  • 深圳市晶美隆科技有限公司
  • 李林
    0755-82519391
  • IR
  • TO-252
  • 14+
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