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IRFS38N20DPBF中文资料

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IRFS38N20DPBF参数资料

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  • IRFS38N20DPBF
  • 功能描述：MOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 54mOhms 60nC；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFS38N20DPBF供应商

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  • 集好芯城
  • 张育豪 13360528695
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  • 陈先生13360533550
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  • International Rectifier
  • 标封
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  • 20000
  • IRFS38N20DPBF
  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
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  • Internation.Rectifer
  • 原厂原装
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