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IRFUC20中文资料

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IRFUC20参数资料

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  • 功能描述：MOSFET N-Chan 600V 2.0 Amp；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

IRFUC20供应商

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  • 集好芯城
  • 张育豪 13360528695
    0755-23607487
  • IR原装
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  • IRFUC20
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  • 8800
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  • 深圳市高创鑫电子科技有限公司
  • 曾小姐
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  • TO251
  • 15+
  • 1000000
  • IRFUC20
  • 深圳市柏新电子科技有限公司
  • 林小姐//方先生
    0755-88377780
  • IR
  • TO-251
  • 2012+
  • 4132
  • IRFUC20
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • Vishay Siliconix
  • TO-251AA
  • 15+
  • 25000
  • IRFUC20
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
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  • IR
  • TO-251
  • 0728+
  • 28000
  • IRFUC20
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
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  • 201315+
  • 2350