IRG4BC20MD
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>> IRG4BC20MD(与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A))
IRG4BC20MD中文资料
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IRG4BC20MD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20MD-S
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20MD-S
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20MD-SPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20MDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20MDS
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20MDS_07
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20S
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20S
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IRG4BC20SD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20SD-S
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20SD-SPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20SDS
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20SPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20U
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20U
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20UD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20UD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20UD-S
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20UD-SPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20UDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20UDS
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20W
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20W-S
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20W-SPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC20WS
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30F
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30F
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30FD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30FD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30FD-S
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30FD-SPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30FD1
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30FD1PBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30FDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30FPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30K
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30K
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30K-S
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30K-S
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30K-SPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30K-S_04
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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IRG4BC30KD-S
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IRG4BC30KD-SPBF
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IRG4BC30KD-STRR
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.85V,@ VGE=15V,IC=11A)
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International Rectifier
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IRG4BC20MD参数资料
电子元器件
参数资料
IRG4BC20MD
制造商:IRF;制造商全称:International Rectifier;功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.85V, @Vge=15V, Ic=11A);
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王小姐
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IRG4BC20MDPBF
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
0755-83350789
Infineon Technologies Americas Corp.
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15502070655
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