IRG4BC30U
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>> IRG4BC30U(绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A))
IRG4BC30U中文资料
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IRG4BC30U
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC30U
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC30U-SPBF
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC30UD
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC30UD
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC30UDPBF
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC30W_04
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC40F
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC40U
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC40U
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC40UD
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC40W
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC40WPBF
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BE40UD
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BF40FD
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BF40MD
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BF40SD
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BF40UD
绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BG40FD
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绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.95V,@ VGE=15V,IC=12A)
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IRG4BC30U参数资料
电子元器件
参数资料
IRG4BC30U
功能描述:IGBT UFAST 600V 23A TO-220AB;RoHS:否;类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路;系列:-;标准包装:30;系列:GenX3™;IGBT 类型:PT;电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V;Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A;电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A;功率 - 最大:830W;输入类型:标准;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商设备封装:PLUS247?-3;包装:管件;
IRG4BC30U供应商
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TO-220
2012+
124
IRG4BC30U
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
0755-83350789
Infineon Technologies Americas Corp.
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深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售经理:马先生
0755-83350789
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