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>> IRG4BC40S(绝缘栅双极晶体管标准速度IGBT(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.32V,@ VGE=15V,IC=31A))
IRG4BC40S中文资料
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IRG4BC40S
绝缘栅双极晶体管标准速度IGBT(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.32V,@ VGE=15V,IC=31A)
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IRG4BC40S
绝缘栅双极晶体管标准速度IGBT(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.32V,@ VGE=15V,IC=31A)
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绝缘栅双极晶体管标准速度IGBT(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.32V,@ VGE=15V,IC=31A)
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绝缘栅双极晶体管标准速度IGBT(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.32V,@ VGE=15V,IC=31A)
HITTITE
Hittite Microwave Corporation
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绝缘栅双极晶体管标准速度IGBT(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.32V,@ VGE=15V,IC=31A)
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IRG4IBC20KDPBF
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IRG4BC40S参数资料
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参数资料
IRG4BC40S
制造商:IRF;制造商全称:International Rectifier;功能描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Standard Speed IGBT(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.32V, @Vge=15V, Ic=31A);
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