IRG4IBC30FD

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IRG4IBC30FD参数资料

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• 功能描述：IGBT W/DIODE 600V 20.3A TO-220FP；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> IGBT - 单路；系列：-；标准包装：30；系列：GenX3™；IGBT 类型：PT；电压 - 集电极发射极击穿（最大）：1200V；Vge, Ic时的最大Vce（开）：3V @ 15V，100A；电流 - 集电极 (Ic)（最大）：200A；功率 - 最大：830W；输入类型：标准；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-247-3；供应商设备封装：PLUS247?-3；包装：管件；

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