买卖IC网 >> 中文资料第24851页 >> IRG4PH30KPBF(绝缘栅双极晶体管短路额定超快IGBT)

IRG4PH30KPBF中文资料

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IRG4PH30KPBF参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • IRG4PH30KPBF
  • 功能描述：IGBT 晶体管 1200V ULTRAFAST 4-20KHZ DSCRETE IGBT；RoHS：否；制造商：Fairchild Semiconductor；配置：；集电极—发射极最大电压 VCEO：650 V；集电极—射极饱和电压：2.3 V；栅极/发射极最大电压：20 V；在25 C的连续集电极电流：150 A；栅极—射极漏泄电流：400 nA；功率耗散：187 W；最大工作温度：；封装 / 箱体：TO-247；封装：Tube；

IRG4PH30KPBF供应商

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  • 供应商
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  • 封装
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  • 张小姐/Vivianvi
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  • Internation.Rectifer
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  • IRG4PH30KPBF
  • 北京京北通宇电子元件有限公司
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    18724450645
  • INTERNATIONAL RECTIFIER
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  • 彭小姐、刘先生、李小姐
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  • 北京天阳诚业科贸有限公司
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  • International Rectifier
  • N/A
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  • IRG4PH30KPBF
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
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  • International Rectifier
  • 标封
  • 14+
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  • IRG4PH30KPBF
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
  • 王小姐
    13969210552
  • Internation.Rectifer
  • 标准封装
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  • 20000
  • IRG4PH30KPBF
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
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  • Infineon Technologies Americas Corp.
  • TO-247AC
  • 15+
  • 25000
  • IRG4PH30KPBF
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售经理：马先生
    0755-83350789
  • Internation.Re
  • 14+
  • 8050
  • IRG4PH30KPBF
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
    19129491934(手机优先微信同号)
  • IR
  • TO-247
  • 201315+
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  • IRG4PH30KPBF
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  • 陈小姐
    13428937514
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