IRG4RC10SD
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>> IRG4RC10SD(与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A))
IRG4RC10SD中文资料
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IRG4RC10SD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG4RC10U
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG4RC10UD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG4RC20F
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG4RC20FPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG4ZC70UD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG4ZC71KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG4ZH50KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG4ZH70UD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG4ZH71KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG6B330UDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG6I320UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG6I330UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG6IC30UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG6S320UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG6S330UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7I313UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH30K10DPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH30K10PBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH35UD-EP
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH35UD1-EP
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH35UD1PBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH35UDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH42U-EP
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH42UD-EP
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH42UD1-EP
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH42UD1PBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH42UDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH42UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH46U-EP
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH46UD-EP
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH46UDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH46UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH50U-EP
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PH50UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PSH50UDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PSH54K10DPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7PSH73K10PBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7S313UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRG7S319UPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRGB10B60KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRGB10B60KDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRGB14C40L
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRGB14C40L
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRGB14C40LPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRGB15B60KD
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRGB15B60KDPBF
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRGB20B60PD1
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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IRGB20B60PD1PBF
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IRGB30B60K
与超快软恢复二极管绝缘栅双极晶体管(VCES=600V,的VCE(on)典型值=1.10V,@ VGE=15V,IC=2.0A)
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328.22 Kbytes
IRG4RC10SD参数资料
电子元器件
参数资料
IRG4RC10SD
功能描述:IGBT STD W/DIODE 600V 8.0A D-PAK;RoHS:否;类别:分离式半导体产品 >> IGBT - 单路;系列:-;标准包装:30;系列:GenX3™;IGBT 类型:PT;电压 - 集电极发射极击穿(最大):1200V;Vge, Ic时的最大Vce(开):3V @ 15V,100A;电流 - 集电极 (Ic)(最大):200A;功率 - 最大:830W;输入类型:标准;安装类型:通孔;封装/外壳:TO-247-3;供应商设备封装:PLUS247?-3;包装:管件;
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林小姐/欧阳先生
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北京京北通宇电子元件有限公司
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2014
3000
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深圳市德力诚信科技有限公司
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TO-247
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13796
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中山市翔美达电子科技有限公司
朱小姐
15502070655
IR
TO-263/D2-PAK
11+
6000
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深圳市柏新电子科技有限公司
林小姐//方先生
0755-88377780
IR
TO-252-2
2012+
2558
IRG4RC10SD
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
0755-83350789
Infineon Technologies Americas Corp.
D-Pak
15+
25000
IRG4RC10SD
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售经理:马先生
0755-83350789
IR
1213+
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IRG4RC10SD
深圳市毅创辉电子科技有限公司
何芝
19129491934(手机优先微信同号)
IR
标准封装
13+
2500
IRG4RC10SD
甄芯网
柯先生/赵小姐
0755-83665813
IR
TO-252
02+
2575
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