IRGS14C40LPBF
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>> IRGS14C40LPBF(IGBT具有片上栅极 - 发射极和门珍藏夹)
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IRGS14C40LPBF
IGBT具有片上栅极 - 发射极和门珍藏夹
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IRGS15B60KDPBF
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IRGSL4062DPBF
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IRGS14C40LPBF参数资料
电子元器件
参数资料
IRGS14C40LPBF
功能描述:IGBT 晶体管 430V LOW-VCEON DISCRETE IGBT;RoHS:否;制造商:Fairchild Semiconductor;配置:;集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V;集电极—射极饱和电压:2.3 V;栅极/发射极最大电压:20 V;在25 C的连续集电极电流:150 A;栅极—射极漏泄电流:400 nA;功率耗散:187 W;最大工作温度:;封装 / 箱体:TO-247;封装:Tube;
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IRGS14C40LPBF
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深圳市海天鸿电子科技有限公司
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1516+
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深圳市思诺康科技有限公司
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北京京北通宇电子元件有限公司
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INTERNATIONAL RECTIFIER
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深圳市科思奇电子科技有限公司
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深圳市德力诚信科技有限公司
王小姐
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International Rectifier
标封
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深圳市德力诚信科技有限公司
王小姐
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Internation.Rectifer
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15+
20000
IRGS14C40LPBF
深圳市柏新电子科技有限公司
林小姐//方先生
0755-88377780
IR
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6
IRGS14C40LPBF
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售部经理:马先生
0755-83350789
Infineon Technologies Americas Corp.
D2PAK
15+
125475
IRGS14C40LPBF
深圳市兴合盛科技发展有限公司
销售经理:马先生
0755-83350789
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287000
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