IRGSL14C40LPBF
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>> IRGSL14C40LPBF(IGBT具有片上栅极 - 发射极和门珍藏夹)
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IRGSL14C40LPBF
IGBT具有片上栅极 - 发射极和门珍藏夹
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IRGSL15B60KD
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IRGSL30B60K
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IRH7150
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IRGSL14C40LPBF参数资料
电子元器件
参数资料
IRGSL14C40LPBF
功能描述:IGBT 晶体管 430V Low-Vceon ;RoHS:否;制造商:Fairchild Semiconductor;配置:;集电极—发射极最大电压 VCEO:650 V;集电极—射极饱和电压:2.3 V;栅极/发射极最大电压:20 V;在25 C的连续集电极电流:150 A;栅极—射极漏泄电流:400 nA;功率耗散:187 W;最大工作温度:;封装 / 箱体:TO-247;封装:Tube;
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深圳山琅电子科技有限公司
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14+
9875
IRGSL14C40LPBF
北京京北通宇电子元件有限公司
吴潇潇
021-60192772
International Rectifier
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14+
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