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IRLR8503中文资料

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IRLR8503参数资料

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  • IRLR8503
  • 功能描述：MOSFET N-CH 30V 44A DPAK；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRLR8503供应商

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  • 集好芯城
  • 陈先生13360533550
    0755-83867989
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  • 深圳市中平科技有限公司
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    0755-83245050
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    13969210552
  • International Rectifier
  • 标封
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  • IRLR8503
  • 深圳市德力诚信科技有限公司
  • 王小姐
    13969210552
  • Unknown
  • 标准封装
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  • IRLR8503
  • 深圳市时兴宇电子有限公司
  • 彭先生
    0755-83041559
  • IR
  • D-pak
  • 08+
  • 20000
  • IRLR8503
  • 深圳市柏新电子科技有限公司
  • 林小姐//方先生
    0755-88377780
  • IR
  • D-PAK
  • 2012+
  • 1
  • IRLR8503
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部经理：马先生
    0755-83350789
  • Infineon Technologies Americas Corp.
  • D-Pak
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