IRLU4343

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IRLU4343参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• IRLU4343
• 功能描述：MOSFET N-CH 55V 26A I-PAK；RoHS：否；类别：分离式半导体产品 >> FET - 单；系列：HEXFET®；标准包装：1,000；系列：MESH OVERLAY™；FET 型：MOSFET N 通道，金属氧化物；FET 特点：逻辑电平门；漏极至源极电压(Vdss)：200V；电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C：18A；开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：180 毫欧 @ 9A，10V；Id 时的 Vgs(th)（最大）：4V @ 250µA；闸电荷(Qg) @ Vgs：72nC @ 10V；输入电容 (Ciss) @ Vds：1560pF @ 25V；功率 - 最大：40W；安装类型：通孔；封装/外壳：TO-220-3 整包；供应商设备封装：TO-220FP；包装：管件；

IRLU4343供应商

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• 深圳市德力诚信科技有限公司
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• IRLU4343
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• IRLU4343PBF
• 深圳市德力诚信科技有限公司
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• International Rectifier
• 标封
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• IRLU4343PBF
• 深圳市柏新电子科技有限公司
• 林小姐//方先生
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• IRLU4343PBF
• 深圳市兴合盛科技发展有限公司
• 销售部经理：马先生
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• Infineon Technologies Americas Corp.
• I-Pak
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• 25000

• IRLU4343PBF
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• 柯先生/赵小姐
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• IR
• TO-251
• 0410Y+0541P+PB
• 89

• IRLU4343
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• IR
• TO251
• 最新批次
• 112380

• IRLU4343
• 深圳市铭万电子有限公司
• 李洁/廖R
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• IR
• TO-251
• 2013
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• IRLU4343
• 深圳山琅电子科技有限公司
• 山琅电子
  18665358069
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• TO-251
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