ISL9N312AS3ST

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ISL9N312AS3ST参数资料

• 电子元器件
• 参数资料

• ISL9N312AS3ST
• 功能描述：MOSFET N-Ch LL UltraFET PWM Optimized；RoHS：否；制造商：STMicroelectronics；晶体管极性：N-Channel；汲极/源极击穿电压：650 V；闸/源击穿电压：25 V；漏极连续电流：130 A；电阻汲极/源极 RDS（导通）：0.014 Ohms；配置：Single；最大工作温度：；安装风格：Through Hole；封装 / 箱体：Max247；封装：Tube；

ISL9N312AS3ST供应商

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• ISL9N312AS3ST
• 中山市翔美达电子科技有限公司
• 朱小姐
  15502070655
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• TO-263
• 11+
• 6000

• ISL9N312AS3ST
• 北京京北通宇电子元件有限公司
• 王
  18724450645
• TE Connectivity
• 原厂标准封装
• 2014
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• ISL9N312AS3ST
• 
  
• F
• TO-263AB
• 最新批次
• 112380

• ISL9N312AS3ST
• 深圳市明锐微科技有限公司
• 李先生
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• TO-263
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• ISL9N312AS3ST
• 深圳市信通吉电子有限公司
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• ISL9N312AS3ST
• 深圳市深创辉科技有限公司
• 徐小姐
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• ISL9N312AS3ST
• 金狮盾科技(香港)国际集团有限公司
• 曾舒媚
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• harris
• 原装
• DC13+
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• ISL9N312AS3ST
• 深圳市永德川科技有限公司
• 陈小姐
  15999608533
• FSC
• TO-263
• 14+
• 8000

• ISL9N312AS3ST
• 北京思顿拓兴电子公司
• 杜永久
  13366976080
• FAIRCHILD
• 09+
• 12500

• ISL9N312AS3ST
• 深圳山琅电子科技有限公司
• 山琅电子
  18665358069
• FARCHILD
• SOT263
• 1328+
• 11000