买卖IC网 >> 中文资料第33358页 >> NCP5111DR2G(高电压，高和低侧驱动器)

NCP5111DR2G中文资料

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NCP5111DR2G参数资料

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  • NCP5111DR2G
  • 功能描述：功率驱动器IC HIGH VOLT MOSFET DR MOSFET IGBT DRIVER；RoHS：否；制造商：Micrel；产品：MOSFET Gate Drivers；类型：Low Cost High or Low Side MOSFET Driver；上升时间：；下降时间：；电源电压-最大：30 V；电源电压-最小：2.75 V；电源电流：；最大功率耗散：；最大工作温度：+ 85 C；安装风格：SMD/SMT；封装 / 箱体：SOIC-8；封装：Tube；

NCP5111DR2G供应商

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  • NCP5111DR2G
  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
  • 彭小姐、刘先生、李小姐
    0755-82552857-809
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  • NCP5111DR2G
  • 深圳市荣泽信电子科技有限公司
  • 荣泽信－晏S
    18028731859
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  • 15+
  • 10000
  • NCP5111DR2G
  • 深圳市柏新电子科技有限公司
  • 林小姐//方先生
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  • NCP5111DR2G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 谭玉丽
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  • NCP5111DR2G
  • 甄芯网
  • 柯先生/赵小姐
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  • SOP-8
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  • NCP5111DR2G
  • 北京京华特科技有限公司
  • 张小姐/韩先生
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  • N/A 全新进口
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  • NCP5111DR2G
  • 甄芯网
  • 柯
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  • ON Semiconductor
  • 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
  • 11+
  • 0
  • NCP5111DR2G
  • 深圳市远晨电子有限公司
  • 周小姐/詹小姐
    0755-83972258
  • ON Semiconductor
  • S0-8/-40~125
  • 11+
  • 20000
  • NCP5111DR2G
  • 深圳市大联智电子有限公司
  • 孙泽帆
    0755-83200647
  • ON
  • SOP8
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