买卖IC网 >> 中文资料第33366页 >> NCP603SN150T1G(300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护)

NCP603SN150T1G中文资料

  • 电子元器件
  • 中文功能描述
  • 生产厂商
  • 品牌LOGO
  • 页数
  • 文件大小
  • PDF文件
  • NCP603SN150T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 135.30 Kbytes
  • NCP603SN180T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 135.30 Kbytes
  • NCP603SN280T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 135.30 Kbytes
  • NCP603SN300T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 135.30 Kbytes
  • NCP603SN330T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 135.30 Kbytes
  • NCP603SN350T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 135.30 Kbytes
  • NCP603SN500T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 135.30 Kbytes
  • NCP603SNADJT1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 135.30 Kbytes
  • NCP605
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP605MN15T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP605MN18T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP605MN25T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP605MN28T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP605MN30T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP605MN33T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP605MN50T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP605MNADJT2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP606MN15T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP606MN18T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP606MN25T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP606MN28T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP606MN30T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP606MN33T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP606MN50T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP606MNADJT2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 13 Pages
  • 147.42 Kbytes
  • NCP612
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 10 Pages
  • 61.68 Kbytes
  • NCP612
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 11 Pages
  • 78.55 Kbytes
  • NCP6121S52MNR2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 28 Pages
  • 315.20 Kbytes
  • NCP612SQ15T1
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 10 Pages
  • 61.68 Kbytes
  • NCP612SQ15T1
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 11 Pages
  • 78.55 Kbytes
  • NCP612SQ15T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 11 Pages
  • 78.55 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ15T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 9 Pages
  • 158.23 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ15T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 9 Pages
  • 158.23 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ18T1
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 10 Pages
  • 61.68 Kbytes
  • NCP612SQ18T1
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 11 Pages
  • 78.55 Kbytes
  • NCP612SQ18T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 11 Pages
  • 78.55 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ18T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 9 Pages
  • 158.23 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ18T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 9 Pages
  • 158.23 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ25T1
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 10 Pages
  • 61.68 Kbytes
  • NCP612SQ25T1
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 11 Pages
  • 78.55 Kbytes
  • NCP612SQ25T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 11 Pages
  • 78.55 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ25T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 9 Pages
  • 158.23 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ25T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 9 Pages
  • 158.23 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ27T1
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 10 Pages
  • 61.68 Kbytes
  • NCP612SQ27T1
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 11 Pages
  • 78.55 Kbytes
  • NCP612SQ27T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 11 Pages
  • 78.55 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ27T1G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 9 Pages
  • 158.23 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ27T2G
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 9 Pages
  • 158.23 Kbytes
  • PDF文件
  • NCP612SQ28T1
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 10 Pages
  • 61.68 Kbytes
  • NCP612SQ28T1
  • 300毫安高性能CMOS LDO稳压器具有使能和增强型ESD保护
  • ONSEMI
    ON Semiconductor
  • ONSEMI
  • 11 Pages
  • 78.55 Kbytes

NCP603SN150T1G参数资料

  • 电子元器件
  • 参数资料
  • NCP603SN150T1G
  • 功能描述:低压差稳压器 - LDO 300mA CMOS LDO REG WITH ENABLE;RoHS:否;制造商:Texas Instruments;最大输入电压:36 V;输出电压:1.4 V to 20.5 V;回动电压(最大值):307 mV;输出电流:1 A;负载调节:0.3 %;输出端数量:;输出类型:Fixed;最大工作温度:+ 125 C;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:VQFN-20;

NCP603SN150T1G供应商

  • 电子元器件
  • 供应商
  • 联系方式
  • 品牌
  • 封装
  • 批号
  • 数量
  • NCP603SN150T1G
  • 深圳市奥伟斯科技有限公司
  • 江小姐 ADS触摸芯片一级代理
    0755-83254770
  • ON
  • SOT23-5
  • 10+
  • 3000
  • NCP603SN150T1G
  • 标准国际(香港)有限公司
  • 朱小姐
    83617149
  • ON Semiconductor
  • TSOP-5
  • 2014+
  • 2650
  • NCP603SN150T1G
  • 深圳市海天鸿电子科技有限公司
  • 彭小姐、刘先生、李小姐
    0755-82552857-809
  • ON
  • 原厂原装
  • 1516+
  • 7500
  • NCP603SN150T1G
  • 深圳市科思奇电子科技有限公司
  • 林小姐/欧阳先生
    0755-83245050
  • ON
  • SOT23-5
  • 2014+
  • 3680
  • NCP603SN150T1G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 雷春艳
    19129493934(手机优先微信同号)0755-83266697
  • ON
  • ROHS
  • 13+
  • 2100
  • NCP603SN150T1G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 史仙雁
    19129911934(手机优先微信同号)
  • ON
  • ROHS
  • 13+
  • 2100
  • NCP603SN150T1G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 何芝
    19129491934(手机优先微信同号)
  • ON Semiconductor
  • 5-TSOP
  • 1335+
  • 5365
  • NCP603SN150T1G
  • 深圳市毅创辉电子科技有限公司
  • 谭玉丽
    19129491949(手机优先
  • ON Semiconductor
  • 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)5 引线
  • 12+
  • 10001
  • NCP603SN150T1G
  • 深圳市兴合盛科技发展有限公司
  • 销售部:马先生
    0755-83350789
  • ON Semiconductor
  • 6-TSOP(0.059",1.50mm 宽)5 引线
  • 15+
  • 180018
  • NCP603SN150T1G
  • 甄芯网
  • 柯先生/赵小姐
    0755-83665813
  • ON
  • SOT23-5
  • 2012+
  • 3100