NCV1413BDR2G
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>> NCV1413BDR2G(高电压,大电流达林顿晶体管阵列)
NCV1413BDR2G中文资料
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NCV1413BDR2G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV1455B
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV1455B
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV1455BDR2
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV1455BDR2
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2002
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2575
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
ON Semiconductor
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NCV2575
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2575
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2575D2T-12G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
ON Semiconductor
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NCV2575D2T-12G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2575D2T-12R4G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
ON Semiconductor
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NCV2575D2T-12R4G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2575D2T-5G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2575D2T-5G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2575D2T-5R4G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2575D2T-5R4G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
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NCV2575D2T-ADJG
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2575D2T-ADJG
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
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NCV2575D2T-ADJR4G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
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NCV2575D2T-ADJR4G
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NCV2890
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2890DMR2G
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NCV2901
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2901
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高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2901DR2
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NCV2901DR2G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
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NCV2901DR2G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2901DTBR2G
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV2902
高电压,大电流达林顿晶体管阵列
ONSEMI
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NCV1413BDR2G参数资料
电子元器件
参数资料
NCV1413BDR2G
功能描述:达林顿晶体管 High Voltage High Current Darlington;RoHS:否;制造商:Texas Instruments;配置:Octal;晶体管极性:NPN;集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V;发射极 - 基极电压 VEBO:;集电极—基极电压 VCBO:;最大直流电集电极电流:0.5 A;最大集电极截止电流:;功率耗散:;最大工作温度:+ 150 C;安装风格:SMD/SMT;封装 / 箱体:SOIC-18;封装:Reel;
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ON
SOP16
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0755-23903058
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NCV1413BDR2G
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荣泽信-晏S
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